| 发明名称 | 背封单晶硅外延层结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种背封单晶硅外延层结构，包括：重掺杂衬底和上面的外延层；在所述的重掺杂衬底背面还覆盖一层不含掺杂的单晶硅；本实用新型的有益效果是：运用衬底后加一层无阻值外延背封，能有效改善衬底的自掺杂现象。 | ||
| 申请公布号 | CN202076271U | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201120351645.1 | 申请日期 | 2011.09.19 |
| 申请人 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 发明人 | 钟旻远;林志鑫;顾昱;陈斌 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01)I;H01L29/72(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 席虹岩 |
| 主权项 | 一种背封单晶硅外延层结构，包括：重掺杂衬底和上面的外延层；其特征在于：在所述的重掺杂衬底背面还覆盖一层不含掺杂的单晶硅。 | ||
| 地址 | 201707 上海市青浦区青浦北青公路8228号（青浦出口加工区）二区48号 | ||