| 发明名称 | 电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供能高精度地获得电容元件的电容值的电子器件。该电子器件(1)具有形成在衬底(51)的平坦化层(52)上的下部导体(第1导体)(21)、形成在下部导体(21)上的介质膜(31)及形成在介质膜(31)上的、比下部导体(21)薄的上部导体(第2导体)(23)。电容元件(11)由下部导体(21)、介质膜(31)及上部导体(23)构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101067985B | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN200710102992.9 | 申请日期 | 2007.05.08 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 桑岛一 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曾祥夌;陈景峻 |
| 主权项 | 一种电子器件，其特征在于，具有：形成在衬底上的第1导体；形成在所述第1导体上的介质膜；及形成在所述介质膜上且比所述第1导体薄的第2导体，电容元件由所述第1导体、所述第2导体及所述介质膜构成，设所述第1导体的厚度设为t1；所述第2导体的厚度设为t2；及所述第2导体的粒径设为x，则有t1＞t2，x≤t2。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||