纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法

摘要

本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移率的改变，而本发明所述的纳米尺度下的巨压阻是在应力作用下硅和二氧化硅处界面的电子陷阱作用改变载流子的浓度产生的。随着压阻厚度的减小，界面效应占的比例越大，界面陷阱产生的压阻效应也越明显。本发明制作的压阻具有压阻系数大，横向压阻和纵向压阻电阻值变化相同，和半导体工艺兼容的优点，可以运用于传感器和微电子机械系统中。

主权项

纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻，其特征在于所述的巨压阻是在机械应力作用下，由P型或N型硅和二氧化硅界面处的电子陷阱作用改变载流子的浓度产生的；所述的产生巨压阻的P型或N型硅层厚度为20nm以下的纳米量级。