发明名称 |
抑制脱硫吸附剂中原位硅酸盐形成的方法 |
摘要 |
抑制脱硫吸附剂中原位硅酸盐形成的方法。使一种或多种硅酸盐的原位形成最小化的脱硫吸附剂的再生用方法。已经发现,在富碳氧化物的环境中使充硫吸附剂颗粒再生与使用常规方法再生的类似吸附剂相比出人意料地降低原位硅酸盐形成速率。 |
申请公布号 |
CN101683611B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200910174374.4 |
申请日期 |
2009.09.11 |
申请人 |
中国石油化工股份有限公司 |
发明人 |
R·W·莫顿;R·施米特;G·W·多德维尔;G·C·奥尔雷德 |
分类号 |
B01J20/34(2006.01)I;B01J20/10(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I;C10G25/12(2006.01)I;C10G25/09(2006.01)I;C10G11/18(2006.01)I |
主分类号 |
B01J20/34(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
赵苏林;范赤 |
主权项 |
用于使大量吸附剂颗粒再生的方法,所述方法包括:(a)将大量充硫吸附剂颗粒导入再生区,其中所述充硫吸附剂颗粒包含载体组分,所述载体组分包含氧化硅源;(b)将一个或多个气流导入所述再生区,其中所述一个或多个气流包含氧气和碳氧化物;和(c)在所述再生区中在再生条件下使至少一部分所述充硫吸附剂颗粒再生,从而提供大量再生的吸附剂颗粒,其中在所述一个或多个气流中的碳氧化物与氧气的总摩尔比大于0.01∶1。 |
地址 |
100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号 |