发明名称 一种微量Cu掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>基热电材料
摘要 本发明属于能源材料技术领域,特别涉及一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料,该热电材料以纯度为99.99%金属单质Bi、Cu粉及单质S粉为原料,按照化学通式CuxBi2-xS3(其中x为Cu组成元素的摩尔分数,x取值范围为0.001≤x≤0.05)配置,采用机械合金化法结合放电等离子烧结技术制备成块体材料。该方法能够简单、方便地制备出微量Cu掺杂Bi2S3块体热电材料,微量Cu进入Bi2S3晶格,提高样品的载流子浓度,优化功率因子,并且形成与基体结构共格的Cu-S纳米析出物,大幅降低热导率,使得Bi2S3基块体材料的热电性能得到大幅提升。
申请公布号 CN102280570A 申请公布日期 2011.12.14
申请号 CN201110218183.0 申请日期 2011.08.01
申请人 北京科技大学 发明人 张波萍;葛振华;于昭新;刘勇
分类号 H01L35/16(2006.01)I 主分类号 H01L35/16(2006.01)I
代理机构 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 代理人 刘淑芬
主权项 一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料,其特征在于:该材料的成分以纯度为99.99%金属单质Bi、Cu粉及单质S粉为原料,化学通式为CuxBi2‑xS3,其中x为Cu组成元素的摩尔分数,x取值范围为0.001≤x≤0.05。
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