等离子体处理室及具有倾斜上表面的热边缘环

摘要

一种具有延长寿命的热边缘环，包含具有倾斜上表面的环形本体。该热边缘环包括垫起在其中使用等离子体处理该衬底的等离子体处理室中支撑的半导体衬底的外缘的台阶。该台阶包括围绕该衬底的该外缘的竖直表面和从该竖直表面的上沿向上和向外延伸的该倾斜表面。

主权项

被配置为围绕等离子体处理室中的半导体衬底的热边缘环，等离子体在所述等离子体处理室中产生并被用于处理所述半导体衬底，所述等离子体处理室包含：包含在向外延伸的环形支撑表面和圆形衬底支撑表面之间延伸的竖直侧壁的衬底支座，所述衬底支座被配置为所述半导体衬底被支撑在所述衬底支撑表面上而所述半导体衬底的伸出边缘延伸超出所述外竖直侧壁；支撑在所述环形支撑表面上的射频(RF)耦合环；以及支撑在所述射频耦合环上的所述热边缘环；所述热边缘环包括环形本体，所述环形本体包含被配置为被支撑在所述射频耦合环上的下表面；从所述下表面的内沿向上延伸并围绕所述竖直侧壁的内表面；从所述内表面的上沿向外延伸并从倾斜上表面的内沿向下延伸、并被配置为垫起所述半导体衬底的所述伸出边缘的第一台阶；包含从所述第一台阶的上沿向外并向上延伸的截断锥形表面的所述倾斜上表面；从所述倾斜上表面的外沿向下延伸的外表面；以及从所述外表面的下沿向内延伸并从所述下表面的外沿向上延伸的第二台阶。