发明名称 |
具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法 |
摘要 |
具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法,属于场发射阴极技术领域,该阴极材料为GaN和AlN的混合物,同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构;组分为:AlxGa1-xN,0<x≤0.95。制备方法:将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统,抽真空、加热衬底、通入保护气体,用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化,有着明显的应用前景和潜在的经济效益。 |
申请公布号 |
CN102280331A |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN201110193383.5 |
申请日期 |
2011.07.12 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
王如志;宋志伟;赵维;严辉;王波;张铭;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 |
分类号 |
H01J1/308(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/308(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
沈波 |
主权项 |
具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极材料,其特征在于,该场发射阴极材料为GaN和AlN两种宽带隙氮化物半导体的混合物,并且该薄膜同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构;该场发射阴极材料的组分为:AlxGa1‑xN,其中0<x≤0.95。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |