| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种等离子体处理装置，包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，其中第一射频源大于第二射频源频率的1.5倍；非电介质材料层，位于第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率。本发明实施例提高了真空处理腔室内的等离子体分布的均匀度，改善了等离子处理装置处理后的晶圆的均匀度。 | ||
| 申请公布号 | CN102280342A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110240360.5 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 倪图强;欧阳亮;吴狄;陶铮;松尾裕史 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：真空处理腔室；第一电极，位于所述真空处理腔室内，第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，其中第一射频源大于第二射频源频率的1.5倍；非电介质材料层，位于第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||