| 发明名称 | 一种太阳能级多晶硅材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种太阳能级多晶硅材料的制备方法。该方法包括将位于熔融状态的电解质中的阴极和阳极与直流电源连接，其中，以工业硅为所述阳极，以惰性导电材料为所述阴极。本发明的方法创造性地采用工业硅作为阳极，在阴极制得符合太阳能级多晶硅的质量要求的多晶硅材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101724852B | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN200810167996.X | 申请日期 | 2008.10.20 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 刘占果;刘军锋;周勇 |
| 分类号 | C25B1/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I | 主分类号 | C25B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 王崇;王凤桐 |
| 主权项 | 一种太阳能级多晶硅材料的制备方法，该方法包括将位于熔融状态的电解质中的阴极和阳极与直流电源连接，其特征在于，所述电解质含有碱金属的硅酸盐和/或碱金属的氟硅酸盐，所述电解质还含有碱金属的氟化物，所述碱金属的硅酸盐和/或碱金属的氟硅酸盐与碱金属的氟化物的重量比为1‑6∶1；以工业硅为所述阳极；以惰性导电材料为所述阴极。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||