| 发明名称 | Ⅲ-Ⅴ族半导体器件的电介质界面 | ||
| 摘要 | 本发明描述了III-V族半导体器件及制造方法。通过硫族化物区域将高k电介质与限制区域对接。 | ||
| 申请公布号 | CN101341583B | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN200680044431.1 | 申请日期 | 2006.11.17 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·K·布拉斯克;S·达塔;M·L·多奇;J·M·布莱克威尔;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利罗斯;R·S·乔 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;刘春元 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：生长III‑V族化合物的第一区域；在所述第一区域上生长AlInSb限制区域；在所述AlInSb限制区域上形成硫族化物区域；在所述硫族化物区域上形成电介质区域，其中所述硫族化物区域包括在所述限制区域和所述电介质区域之间的其中n大于1的[O]n桥、二硫桥或者二硒桥；以及在所述电介质区域上形成金属栅。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||