发明名称 |
聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于聚焦离子束注入和辅助气体刻蚀的微纳加工方法,包括下列步骤:将待加工基底置于聚焦离子束样品室;通过离子束成像系统对其进行形貌观测;利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工;在所述的聚焦离子束样品室内,原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。本发明提出的方法稳定可靠,不仅可以显著提高制备效率,而且提高了加工的灵活性,还可以有效地减小加工再沉积的影响,显著提高加工精度和加工质量。 |
申请公布号 |
CN101456534B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200910067643.7 |
申请日期 |
2009.01.09 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
房丰洲;徐宗伟;胡小唐 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
江镇华 |
主权项 |
一种聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法,采用带有氟化氙气体辅助刻蚀的聚焦离子束设备,包括下列步骤:a)将待加工基底置于聚焦离子束样品室;b)通过离子束成像系统对其进行形貌观测;c)利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工;d)在所述的聚焦离子束样品室内,原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 |