发明名称 |
制造多晶硅的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制造多晶硅的方法,它是通过向还原反应器中连续通入由氢气和含硅气体构成的混合气体作为原料进气,在所述还原反应器中利用所述氢气还原所述含硅气体,由此制造多晶硅的方法,其包括通过调节作为原料进气的所述混合气体的进气量Q,和/或调节所述混合气体中所述氢气与所述含硅气体的摩尔比R,使比值Q/R满足特定的关系式的步骤。根据本发明的制造方法,能够提高单位生长周期内多晶硅的产量和单程收率,并改善多晶硅产品的结构质量和表面状态,而不必额外增加设备成本或生产成本。 |
申请公布号 |
CN101759182B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200910178053.1 |
申请日期 |
2009.09.28 |
申请人 |
江苏中能硅业科技发展有限公司 |
发明人 |
刘逸枫;崔树玉;蒋文武;钟真武;蒋立民;陈其国;梁强;陈明元;孔营 |
分类号 |
C01B33/027(2006.01)I;C01B33/035(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/027(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
熊玉兰;王刚 |
主权项 |
一种制造多晶硅的方法,它是通过向还原反应器中连续通入由氢气和含硅气体构成的混合气体作为原料进气,在所述还原反应器中利用所述氢气还原所述含硅气体,由此制造多晶硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:通过调节作为原料进气的所述混合气体的进气量Q,和/或调节所述混合气体中所述氢气与所述含硅气体的摩尔比R,使所述进气量Q与所述摩尔比R的比值Q/R满足如下的关系式,Qt1/Rt1≥Qt2/Rt2在所述关系式中,所述Qt1指的是从所述制造方法开始经过t1小时的时刻,作为原料进气的所述混合气体的进气量,单位是Nm3/h,所述Rt1指的是从所述制造方法开始经过t1小时的时刻,所述混合气体中所述氢气与所述含硅气体的摩尔比,所述Qt2指的是从所述制造方法开始经过t2小时的时刻,作为原料进气的所述混合气体的进气量,单位是Nm3/h,所述Rt2指的是从所述制造方法开始经过t2小时的时刻,所述混合气体中所述氢气与所述含硅气体的摩尔比,其中所述t1是正实数,所述t2是0或正实数,并且t1>t2。 |
地址 |
221131 江苏省徐州市经济开发区杨山路66号 |