外延晶片及其制造方法

摘要

本发明提供可以防止产生外延膜的表面缺陷和该膜外周部的滑移、具有吸除部位、还可以降低制造成本的外延晶片及其制造方法。减少硅晶片表层中的氧离子注入量，在温度低的外延生长时对离子注入层进行热处理，在表层形成不完全埋入氧化膜。因此，可以降低晶片的成本。另外，即使氧化膜因离子注入的状况不佳而中断，也可以抑制外延膜产生凹坑，减少膜的表面缺陷。另外，可以防止膜的外周部的厚度增加，可以抑制晶片外周部的滑移。而且，不完全埋入氧化膜还兼具吸除部位，因此可以防止外延晶片的金属污染。

主权项

外延晶片，其为在硅晶片的表面形成有硅外延膜的外延晶片，在距上述硅晶片表面0.05μm～0.5μm的深度范围内形成有硅氧化物与硅粒以预定比例混合存在的、预定厚度的不完全埋入氧化膜，所述硅氧化物是由含有SiO2的SiOX形成的硅氧化物，所述硅粒是硅晶片中的硅通过氧的离子注入而粒状化的硅粒，该氧化膜是在上述离子注入的离子注入层的整个区域非连续地形成的。