发明名称 采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法
摘要 本发明提供一种采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法,其特征在于:首先选择合适的基底材料;在基底表面旋涂一层抗蚀剂;在抗蚀剂表面再蒸镀一层金属;然后运用微透镜列阵结构对该结构进行聚焦曝光;移走微透镜列阵结构,去掉金属层结构;对抗蚀剂进行显影,获得目标结构;最后对目标结构进行刻蚀,将结构传递到基底上;本发明通过在微透镜底层添加的金属层结构,对聚焦后的光场进行二次调制,进一步减小聚焦光斑的尺寸,因此可以进一步减小制作的目标结构的尺寸,为微纳结构的制作提供了很好的方法。
申请公布号 CN101206411B 申请公布日期 2011.12.14
申请号 CN200710177559.1 申请日期 2007.11.16
申请人 中国科学院光电技术研究所 发明人 杜春雷;李淑红;董小春;史立芳
分类号 G03F7/20(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 贾玉忠;卢纪
主权项 一种采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法,其特征在于如下步骤:(1)选择合适的基底材料;(2)在基底表面旋涂一层抗蚀剂;(3)在抗蚀剂表面再蒸镀一层金属层;所述金属层的材料为能够激发表面等离子体的金属金、银、铜或铝;(4)选择合适的微透镜列阵结构对步骤(3)所得结构进行聚焦曝光,通过调节曝光时间,利用激发出的表面等离子体在抗蚀剂内部形成需要的曝光能量分布;(5)曝光之后移走微透镜列阵结构,紧接着去掉金属层结构;(6)选择与抗蚀剂相匹配的显影液,对基底表面的抗蚀剂进行显影,获得目标结构;(7)对目标结构进行刻蚀,将结构传递到基底上。
地址 610209 四川省双流350信箱