发明名称 |
存储器阵列及存储器单元 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器阵列及存储器单元。此存储器阵列包括衬底、多条字线、电荷捕捉结构、多个沟道通道与多条位线。字线位于衬底上,且字线彼此相平行。电荷捕捉结构覆盖该多个字线的表面。沟道通道位于衬底上,且字线与沟道通道交替排列,且该多个沟道通道通过电荷捕捉结构而与相邻的字线分离。位线位于字线上,该条位线跨越该多个字线,且沟道通道与位线电性耦接。 |
申请公布号 |
CN101777560B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200910263715.5 |
申请日期 |
2009.12.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
黄竣祥;蔡文哲;欧天凡 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种存储器阵列,其特征在于,包括:多个字线;一电荷捕捉结构,覆盖该多个字线的表面;多个沟道通道,该多个字线与该多个沟道通道交替排列,且该多个沟道通道通过该电荷捕捉结构而与相邻的该字线分离,该多个沟道通道的顶面低于该多个字线的顶面;以及多个位线,跨越该多个字线,每个位线具有多个导体延伸部分,该多个导体延伸部分分别在相邻字线之间的沟道中向下延伸,以分别将该位线电性耦接至多个沟道通道,每一个该导体延伸部分中具有一P‑N结或者在每一个该导体延伸部分与沟道通道之间具有一P‑N结,其中沟道通道是在沟道中沿着字线的长轴形成的。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |