嵌埋硅/锗材料相对沟道区的偏移降低的晶体管

摘要

应变诱导半导体合金可基于具有非矩形形状的开口形成，通过提供适当的保护层例如二氧化硅材料，即使在相应的高温处理期间也可保持该非矩形形状，从而降低该应变诱导半导体材料的横向偏移，同时在该开口蚀刻制程期间仍使相应的偏移侧间隙壁具有足够的厚度，以保持栅极电极的完整性。例如，p沟道晶体管可具有呈六角形的硅/锗合金，以显着增强总体应变传递效率。

主权项

一种方法，包括：在与半导体器件的晶体管的栅极电极结构邻近的含硅结晶半导体区中形成开口，该栅极电极结构包括形成于其侧壁上的偏移侧间隙壁；在该开口的暴露表面上形成保护层；在第一高温下将该半导体器件引入制程环境中；调整该制程环境以获得较低的第二温度；在该制程环境中移除该保护层；以及在该第二温度的该制程环境中于该开口中形成半导体合金。