半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。下电极包括在表层上具有2nm或更小厚度的含金属氧化物层。含金属氧化物层通过氧化下电极的表面而形成。电介质膜包括在块体状态下在室温下出现的第一相和在块体状态下在比第一相的温度更高的温度下出现的第二相。第二相具有比第一相更高的相对电容率。

主权项

一种半导体器件，包括：基板；形成在所述基板中的晶体管；形成在所述基板和所述晶体管上方的多层互连层；和形成在所述多层互连层中的电容元件，其中所述电容元件包括：包含金属的下电极，电介质膜，所述电介质膜形成在所述下电极上方并且由金属氧化物膜制成，和上电极，所述上电极形成在所述电介质膜上方，所述下电极包括在表面层上方具有2nm或更小厚度的氧化物层，所述电介质膜至少包括在块体状态下在室温下出现的第一相和在块状态下在比所述第一相的温度高的温度下出现的第二相，和所述第二相具有比所述第一相高的相对电容率。