发明名称 |
DIANA DE PULVERIZACION CATODICA CON CAPA DE PULVERIZACION CATODICA LENTA BAJO EL MATERIAL DIANA. |
摘要 |
Una diana (1)de pulverización catódica que comprende: un tubo (2) catódico giratorio que aloja por lo menos un imán en el mismo; una capa (4) de material diana que comprende uno o más de entre Sn y Zn dispuestos sobre la superficie exterior del tubo (2) catódico; una capa (3) de pulverización catódica lenta que se encuentra entre el tubo (2) catódico y la capa (4) de material diana a lo largo de una porción de la longitud del tubo catódico para reducir el riesgo de perforar por quemadura el tubo (2); en la que la capa (3) de pulverización catódica lenta tiene una tasa de pulverización catódica inferior a la de la capa (4) de material diana para iones de Ar; caracterizada porque la capa (3) de pulverización catódica lenta comprende uno o más de entre Ti, W, Nb y Ta.
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申请公布号 |
ES2370259(T3) |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
ES20060785376T |
申请日期 |
2006.06.21 |
申请人 |
GUARDIAN INDUSTRIES CORP. |
发明人 |
MAYER, RAYMOND M.;LU, YIWEI |
分类号 |
H01J37/34;C23C14/34;C23C14/50 |
主分类号 |
H01J37/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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