| 发明名称 | 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：布置在衬底中的第一P阱、布置在所述第一P阱中的源极区域、布置在所述第一P阱中的N型漂移区、布置在所述N型漂移区中的N阱、以及布置在所述N阱中的漏极区域。根据本发明，通过将漏极区域布置在N型漂移区中的N阱中，而不是直接布置在N型漂移区中，在不影响击穿电压的情况下降低了导通电阻以及扩大SOA工作范围。 | ||
| 申请公布号 | CN102280481A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110218604.X | 申请日期 | 2011.08.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于包括：布置在衬底中的第一P阱、布置在所述第一P阱中的源极区域、布置在所述第一P阱中的N型漂移区、布置在所述N型漂移区中的N阱、以及布置在所述N阱中的漏极区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||