| 发明名称 | 一种IGBT器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种IGBT器件，包括基板，在所述基板中形成有一个双极管器件和至少一个MOS管器件，所述基板具有第一表面和与其相对的第二表面，以及第三表面和与其相对的第四表面；分别形成于所述第一表面和第二表面至少一个之上的、所述至少一个MOS器件的栅极区；以及分别形成于所述第三表面和第四表面上的、所述IGBT器件的集电极接触层和发射极接触层。本发明有效地利用了衬底的各个表面来形成IGBT器件的各个接触极，提高了器件的电流密度。相应地，本发明还提出了一种IGBT器件的制造方法，该方法能够有效地利用衬底的厚度，提高了衬底的表面积利用率，从而不必额外地引入减薄衬底的步骤而能够制造更薄的IGBT器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102280474A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201010200705.X | 申请日期 | 2010.06.09 |
| 申请人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种IGBT器件，包括基板，在所述基板中形成有一个双极管器件和至少一个MOS管器件，所述基板具有第一表面和与其相对的第二表面，以及第三表面和与其相对的第四表面；形成于所述第一表面和第二表面至少一个之上的、所述至少一个MOS管器件的栅极区；以及分别形成于所述第三表面和第四表面上的、所述IGBT器件的集电极接触层和发射极接触层。 | ||
| 地址 | 410007 湖南省长沙市天心区韶山南路22号梅岭村38栋303房 | ||