发明名称 |
固态成像装置及其制造方法以及成像设备 |
摘要 |
可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21),以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。 |
申请公布号 |
CN102280463A |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN201110226438.8 |
申请日期 |
2007.08.20 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
山口哲司;大岸裕子;安藤崇志;池田晴美 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种固态成像装置,其特征在于:所述固态成像装置包括对入射光进行光电转换的光接收部分,所述固态成像装置包括:设置在所述光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜;以及设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜,其中空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面侧,并且其中所述具有固定负电荷的膜由氧化铪、氧化锆、氧化钽、氧化钛、氧化镧、氧化镨、氧化铈、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥、氧化钇、氮化铪、氮化铝、氮氧化铪、或氮氧化铝形成。 |
地址 |
日本东京都 |