| 发明名称 | 累积型场效应管可变电容及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供A-MOS可变电容及其制造工艺，以提高可变电容的电容调节范围，该可变电容包括阱结构、源端、漏端及栅端，所述阱结构为低阈值阱或深阱，该制造工艺包括步骤：提供衬底；在衬底上形成绝缘层；基于阱光掩模版，光刻绝缘层，形成阱掺杂区；对阱掺杂区进行杂质离子注入，形成低阈值阱或深阱；通过后续常规工艺，完成栅极、源极及漏极结构的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN102280497A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110257353.6 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黎坡 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/334(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种累积型场效应管可变电容，包括阱结构、源端、漏端及栅端，其特征在于，所述阱结构为低阈值阱或深阱。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||