| 发明名称 | 多深度浅沟槽隔离工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造半导体裸片的方法，其可具有以下步骤：提供半导体衬底；将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离(STI)的点；在晶片上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；在所述底层的顶部上沉积掩蔽层；使所述掩蔽层成形为具有预定义的深度的区域；施加光学光刻过程以暴露其中将形成沟槽的所有区域；及蚀刻所述晶片以形成若干硅沟槽，其中沟槽的深度取决于相对于所述掩蔽层区域的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN102282666A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201080004639.7 | 申请日期 | 2010.01.13 |
| 申请人 | 密克罗奇普技术公司 | 发明人 | 贾斯廷·H·萨托;布赖恩·亨尼斯;格雷格·斯托姆;罗伯特·P·马;沃尔特·E·伦迪 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体裸片的方法，其包括以下步骤：提供半导体衬底；将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离(STI)的点；在晶片上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；在所述底层的顶部上沉积掩蔽层；使所述掩蔽层成形为具有预定义的深度的区域；施加光学光刻过程以暴露其中将形成沟槽的所有区域；及蚀刻所述晶片以形成若干硅沟槽，其中沟槽的深度取决于相对于所述掩蔽层区域的位置。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||