提高掩膜板图形关键尺寸均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种提高掩膜板图形关键尺寸均匀性的方法，在光刻工艺过程中包括如下步骤：(1)在掩膜板制作之前，在版图内不允许插入虚拟图形的区域内加入多个辅助图形，以平衡不同局部区域图形密度的差异；(2)依据加入辅助图形后的修正版图进行掩膜板的制作；(3)通过光刻工艺曝光形成芯片图形。本发明能增加掩膜板上芯片单元内图形关键尺寸和剖面的均匀性，从而提高晶圆层次上的关键层次的控制。

主权项

一种提高掩膜板图形关键尺寸均匀性的方法，其特征是：在光刻工艺过程中包括如下步骤：(1)在掩膜板制作之前在版图内依据一定的规则插入辅助图形，该规则是在版图内不允许插入虚拟图形的区域内加入多个辅助图形；所述的辅助图形与掩膜板的主图形保持一定距离，使主图形尺寸不会受到影响；所述的辅助图形与主图形的距离(d1)应大于两倍的光刻工艺过程中的曝光波长；(2)依据加入辅助图形后的修正版图进行掩膜板的制作；(3)通过光刻工艺曝光形成芯片图形。