MEMS器件圆片级真空封装方法

摘要

本发明公开了一种MEMS器件圆片级真空封装方法，该方法采用金硅共晶键合技术实现封装盖板与MEMS器件的封装，具体包括以下步骤：1)双面抛光封装盖板；2)封装盖板双面淀积绝缘介质；3)在封装盖板上制备金硅键合用金属薄膜；4)制备电极引出通孔；5)对封装盖板与MEMS器件进行键合封装。通过将金硅键合用金属层制作在封装盖板上，省去了MEMS器件加工过程中制作键合用金属层的工艺，减少了金属对MEMS器件在制作过程中产生的污染，提高了工艺兼容性，进而提高了MEMS器件的性能。

主权项

一种MEMS器件圆片级真空封装方法，该方法的步骤包括：1)双面抛光封装盖板(1)；2)光刻封装盖板正面(1a)得到电自动隔离台阶(3)图形与封装腔体图形；3)刻蚀封装盖板(1)，形成电自动隔离台阶(3)和封装腔体；4)封装盖板(1)双面淀积绝缘介质(4)；5)在封装盖板正面(1a)生长金硅共晶键合用金属薄膜(2)；6)光刻金属薄膜(2)得到金硅共晶键合区域图形；7)刻蚀去掉非键合区域金硅键合用金属薄膜(2)；8)光刻封装盖板背面(1b)，形成V型电极引出通孔(5)上开口的图形；9)刻蚀掉V型电极引出通孔(5)上开口的绝缘介质(4)；10)刻蚀封装盖板(1)形成V型电极引出通孔(5)；11)在真空状态下，将封装盖板正面(1a)与MEMS器件圆片(8)进行共晶键合，形成圆片级真空封装；12)在封装盖板背面(1b)的绝缘介质(4)上生长金属薄膜(7)，形成MEMS器件(8)的金属引出电极(6)，完成封装工艺。