发明名称 |
ZnO蒸镀材料及由其形成的ZnO膜 |
摘要 |
本发明涉及用于成膜透明导电膜的ZnO蒸镀材料,其中包含ZnO纯度为98%以上的ZnO的粒料,粒料含有选自Y、La、Sc、Ce、Pr、Nd、Pm及Sm的1种或2种以上的稀土类元素。ZnO的粒料为多晶体或单晶体。通过以该ZnO蒸镀材料为靶材料的真空成膜法而形成的ZnO膜,能够得到良好的导电性。该真空成膜法优选为电子束蒸镀法、离子镀法或溅射法。 |
申请公布号 |
CN101426948B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200780014294.1 |
申请日期 |
2007.04.19 |
申请人 |
三菱麻铁里亚尔株式会社 |
发明人 |
黛良享 |
分类号 |
C23C14/24(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;C04B35/653(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/24(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
熊玉兰;李平英 |
主权项 |
一种ZnO蒸镀材料,其是用于成膜透明导电膜的ZnO蒸镀材料,其特征在于,包含由ZnO纯度为98%以上的ZnO粉末制成的ZnO的粒料,所述粒料含有选自La、Sc、Ce、Pr、Nd、Pm及Sm的1种或2种以上的稀土类元素,并且所述稀土类元素的含量在ZnO蒸镀材料中为2‑20重量%,所述粒料的直径为5mm以上且50mm以下,所述ZnO蒸镀材料的相对密度为90%以上。 |
地址 |
日本东京都 |