发明名称 |
紫外光图像传感器及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种紫外光图像传感器,包括硅衬底、位于硅衬底上的电路和感光元件、用于连接感光元件的金属层、用于金属互连线隔离的绝缘介质层、用于电路保护和绝缘的钝化层,在一个像素内相邻的两个传感器中的一个传感器上方设有氮化硅层以形成紫外滤镜。本发明在光学传感器上利用氮化硅和二氧化硅对紫外线的吸收系数差异来制作紫外光滤镜。本发明的紫外图像传感器能有效探测紫外光,且结构简单,制作成本低。 |
申请公布号 |
CN101740586B |
申请公布日期 |
2011.12.14 |
申请号 |
CN200810043934.8 |
申请日期 |
2008.11.13 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
顾继光 |
主权项 |
一种紫外光图像传感器,包括硅衬底、位于硅衬底上的图像传感器电路和感光元件、用于连接感光元件的金属层、用于金属互连线隔离的绝缘介质层、用于电路保护和绝缘的钝化层,其特征在于:在一个像素内相邻的两个传感器中的一个传感器上方设有氮化硅层以形成紫外光滤镜;所述的图像传感器电路包括差分电路;所述的氮化硅层的厚度大于1000埃。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |