| 发明名称 | 氮化镓衬底材料制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓衬底材料制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，使所述衬底表面形成多个凹槽；形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底具有凹槽一侧的表面，使得所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞；在所述缓冲层上形成氮化镓层；去除所述衬底和缓冲层。由于所述空洞的存在，从而降低了氮化镓层的位错密度，释放了氮化镓层中的应力，由此可形成缺陷较少的氮化镓层。 | ||
| 申请公布号 | CN102280533A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110171023.5 | 申请日期 | 2011.06.23 |
| 申请人 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 发明人 | 张汝京 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种氮化镓衬底材料制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，使所述衬底表面形成多个凹槽；形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底具有凹槽一侧的表面，使得所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞；在所述缓冲层上形成氮化镓层；去除所述衬底和缓冲层。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市国家民用航天产业基地工业二路55号 | ||