| 主权项 |
一种用于洗净图案化微电子物基板及降低铝腐蚀之pH约为6或更低之含水、不含矽酸盐之组合物，该组合物包含：(1)60重量%至99.5重量%之水，及(2)0.5重量%至40重量%之(a)次磷酸铵、(b)亚磷酸铵、或(c)氢氧化铵及选自次磷酸或亚磷酸之酸中之至少一种。如请求项1之组合物，其包含水，及次磷酸铵及亚磷酸铵中之至少一种。如请求项1之组合物，其中该组合物包含水及次磷酸铵。如请求项1之组合物，其中该组合物包含水、氢氧化铵及次磷酸。如请求项1之组合物，其包含氢氧化铵，及次磷酸及亚磷酸中之至少一种。如请求项1之组合物，其中该组合物包含次磷酸、亚磷酸及氢氧化铵。如请求项1之组合物，其包含亚磷酸及氢氧化铵。如请求项1之组合物，其额外包含提供氟离子之氟化物，且其中该氟化物系以0.001重量%至0.5重量%之量存在。如请求项8之组合物，其中该氟化物包含氟化氢。如请求项1之组合物，其额外包含至少一种选自由有机溶剂及氧化剂组成之群之另一组份。如请求项10之组合物，其中该有机溶剂系选自由下列各物组成之群：甘油、2-吡咯啶酮、1-甲基-2-吡咯啶酮、1-乙基-2-吡咯啶酮、1-丙基-2-吡咯啶酮、1-羟乙基-2-吡咯啶酮、二烷基碸、二甲亚碸、1,1-二氧化四氢噻吩、二甲基乙醯胺及二甲基甲醯胺，且该氧化剂系选自由下列各物组成之群：过氧化氢、过硫酸盐、过磷酸盐、次硫酸盐及次氯酸盐。如请求项11之组合物，其中该组合物额外包含该有机溶剂与该氧化剂两者。如请求项10至12中任一项之组合物，其中该有机溶剂为甘油且该氧化剂为过氧化氢。如请求项10之组合物，其额外包含至少一种选自由界面活性剂及腐蚀抑制剂组成之群之另一组份。如请求项14之组合物，其中该另一组份系腐蚀抑制剂，且该腐蚀抑制剂包含儿茶酚。如请求项11之组合物，其中该溶剂包含甘油。一种用于洗净图案化微电子物基板而不产生任何实质铝金属腐蚀之方法，该基板含有光阻聚合材料及/或残余物及一金属，该方法包含以如请求项1至16中任一项之组合物接触该基板历经足以洗净该基板之时间。 |
