发明名称 半导体装置及其制法
摘要
申请公布号 TWI354336 申请公布日期 2011.12.11
申请号 TW093137977 申请日期 2004.12.08
申请人 道康寧特雷矽力康股份有限公司 日本 发明人 森田好次;江南博司;中西淳二;峰胜利
分类号 H01L21/56;C08L83/04;C08L83/08;H01L23/29 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种藉由将半导体装置置放入模中且使填充该模与该半导体装置之间之空间之可固化聚矽氧组合物经受压缩模制来制造密封于固化聚矽氧体中之半导体装置之方法,其中该可固化聚矽氧组合物包含以下组份:(A)每分子具有至少两个烯基之有机聚矽氧烷;(B)每分子具有至少两个键结矽之氢原子之有机聚矽氧烷;(C)铂类催化剂;及(D)填充剂,其中该组份(A)含式RSiO3/2(其中R为一单价烃基)之矽氧烷单元及/或式SiO4/2之矽氧烷单元,或者该组份(B)含式R'SiO3/2(其中R'为一氢原子或一无脂族不饱和碳-碳键之单价烃)之矽氧烷单元及/或式SiO4/2之矽氧烷单元,或组份(A)及组份(B)中之任一组份含该等矽氧烷单元。
地址 日本
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