| 主权项 |
一种双轴定向薄膜，系由芳香族聚酯(a)与具有230~280℃熔点的聚烯烃(b)所成之单层或层合的双轴定向薄膜，其特征为该聚烯烃(b)所占比例，以薄膜的全部重量为基准为2~60重量%的范围，薄膜的厚度为1~10μm的范围。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中双轴定向薄膜为由芳香族聚酯(a)与聚链烯烃(b)之热塑性树脂组成物(c)所成之单层薄膜。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中双轴定向薄膜为层合薄膜，至少1层为由芳香族聚酯(a)与聚链烯烃(b)之热塑性树脂组成物(c)所成之薄膜层A，其至少单面上层合由芳香族聚酯(a)所成的薄膜层B。如申请专利范围第3项之双轴定向薄膜，其中薄膜层A由5~95重量%的芳香族聚酯(a)与5~95重量%的聚链烯烃(b)之热塑性树脂组成物(c’)所成，且该薄膜层A的厚度，相对于层合薄膜的厚度为5~95%的范围。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中双轴定向薄膜为层合薄膜，至少1层为由聚链烯烃(b)所成之薄膜层C，其至少单面上层合由芳香族聚酯(a)所成的薄膜层B。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中芳香族聚酯(a)为聚乙烯－2,6－萘二羧酸酯。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中聚链烯烃(b)至少具有介电率未达3.0、介电耗损未达0.001之任一特性。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中聚链烯烃(b)为对位苯乙烯系聚合物。如申请专利范围第2或3项之双轴定向薄膜，其中热塑性树脂组成物(c)所成之薄膜层中的聚链烯烃(b)为岛状分散，且MD方向的平均长度为20μm以下。如申请专利范围第9项之双轴定向薄膜，其中热塑性树脂组成物(c)，更含有以热塑性树脂组成物的重量为基准之0.1~10重量%具有芳香族聚酯(a)与聚链烯烃(b)的中间溶解性参数之热塑性非晶性树脂(d)。如申请专利范围第10项之双轴定向薄膜，其中热塑性非晶性树脂(d)为丙烯酸共聚聚烯烃或乙烯恶唑啉共聚聚烯烃系树脂。如申请专利范围第3项之双轴定向薄膜，其为由薄膜层A的两面上层合薄膜层B之3层所成者。如申请专利范围第3项之双轴定向薄膜，其中使薄膜层A与薄膜层B层合成全部层数为4层者。如申请专利范围第5项之双轴定向薄膜，其为由薄膜层C的两面上层合薄膜层B之3层所成者。如申请专利范围第5项之双轴定向薄膜，其中使薄膜层C与薄膜层B至少层合成全部层数为4层者。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中薄膜的宽度方向的湿度膨胀系数为0.1×10－6~13×10－6%/RH%的范围。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中薄膜的宽度方向的温度膨胀系数为－5×10－6~15×10－6%/℃的范围。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，薄膜的制膜方向及宽度方向的杨氏率皆为5Gpa以上，且两者的合计最高为22GPa。如申请专利范围第1项、第16~18项中任一项之双轴定向薄膜，其作为磁性记录媒体的底膜使用。一种磁性记录媒体，其特征为由申请专利范围第1项、第16~18项中任一项之双轴定向薄膜、及其单面上所设置之磁性层所成。如申请专利范围第1项之双轴定向薄膜，其中绝缘破坏电压为超过400V/μm，且耐热温度为110℃以上。如申请专利范围第1项、第16项、或第21项之双轴定向薄膜，其为作为薄膜电容器的底膜使用。一种薄膜电容器，其特征为由申请专利范围第1项、第16项、或第21项之双轴定向薄膜、及其至少单面上所设置之含有含氧原子化合物之层D所成，且相对于薄膜的全部厚度，层D的厚度为30%以下，经由X射线光电子分光法测量，于层D表面的（氧原子/碳原子）比为10%以上。一种薄膜电容器，其特征为由申请专利范围第1项、第16项、或第21项之双轴定向薄膜、及其至少单面上所设置之金属层所成。 |
