半导体非均质构造

主权项

一种半导体非均质构造，其包含：一支持底材，具有一第一平面内晶格参数，形成于支持底材上的一缓冲构造，且其上以释松状态具有一第二平面内晶格参数，与形成于缓冲构造上之无梯度层的一多层堆叠，其中无梯度层系为应力层并包含有一半导体材质之至少一应力平滑层，其在一释松状态并具有一第三平面内晶格参数，其值系在第一及第二晶格参数之值之间，且其中平滑层以及其他未与缓冲层达成晶格匹配的所有层的总厚度小于一临限厚度以避免偏位之成核或其他缺陷。