发明名称 具有应力消除突块设计之半导体装置
摘要
申请公布号 TWI354362 申请公布日期 2011.12.11
申请号 TW093122939 申请日期 2004.07.30
申请人 飛思卡爾半導體公司 美國 发明人 詹姆士 詹和 王;姜今武;艾福瑞多 曼杜莎;瑞加喜 蓝登;卢梭 尚卫
分类号 H01L23/532 主分类号 H01L23/532
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种装置,其包括:一半导体基板,其上具有一接触垫;一重新分布导体,其具有与该接触垫电连接的一基座部分,并具有一横向延伸部分;以及一钝化层,其系置放于该横向延伸部分与该基板之间;其中该横向延伸部分形成与该钝化层的一不牢固焊接。
地址 美国