发明名称 |
用于碳层沉积之低温电浆沉积制程 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI354031 |
申请公布日期 |
2011.12.11 |
申请号 |
TW095117540 |
申请日期 |
2006.05.17 |
申请人 |
應用材料股份有限公司 美國 |
发明人 |
拉马斯瓦米卡提克;塙广二;加洛比亚久;柯林肯尼S;马凯;巴瑞哈尔维杰;杰宁斯狄恩;梅尤亚伯赫拉希J;阿巴雅提亚弥尔;盖叶安卓 |
分类号 |
C23C16/513;C23C16/26 |
主分类号 |
C23C16/513 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种于一工作件上沈积一碳层的方法,包含:将该工作件置于一反应器处理室中;将一含碳制程气体引入该处理室;藉由将电浆射频电源耦接至一再进入路径之一外部,于该再进入路径中形成一再进入环形射频电浆流,该再进入路径包括位于该工作件上方之一制程区域;将射频电浆偏压或偏压电压耦合至该工作件,藉以自该含碳制程气体将该碳层沉积于该工作件上;以及加热该沉积碳层。 |
地址 |
美国 |