发明名称 用于碳层沉积之低温电浆沉积制程
摘要
申请公布号 TWI354031 申请公布日期 2011.12.11
申请号 TW095117540 申请日期 2006.05.17
申请人 應用材料股份有限公司 美國 发明人 拉马斯瓦米卡提克;塙广二;加洛比亚久;柯林肯尼S;马凯;巴瑞哈尔维杰;杰宁斯狄恩;梅尤亚伯赫拉希J;阿巴雅提亚弥尔;盖叶安卓
分类号 C23C16/513;C23C16/26 主分类号 C23C16/513
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种于一工作件上沈积一碳层的方法,包含:将该工作件置于一反应器处理室中;将一含碳制程气体引入该处理室;藉由将电浆射频电源耦接至一再进入路径之一外部,于该再进入路径中形成一再进入环形射频电浆流,该再进入路径包括位于该工作件上方之一制程区域;将射频电浆偏压或偏压电压耦合至该工作件,藉以自该含碳制程气体将该碳层沉积于该工作件上;以及加热该沉积碳层。
地址 美国