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一种雷射处理方法，其用以从备援记忆体或是积体电路之选定的导电接线结构处移除目标材料，每一个选定的接线结构的接线包括相对侧表面、上表面以及下表面，侧表面的相对面由一个定义接线宽度的距离分开，至少侧面以及底部表面放置在相邻的保护层结构材料中，该材料系位于建造在基板上之电路中，该方法包括：导引一雷射输出脉波以入射到选定的接线结构上，该雷射输出脉波特征在于具有一个雷射光点以及雷射脉波时域功率特性曲线；雷射光点在选定的接线结构上的一个雷射光点位置具有一个光点尺寸，光点尺寸比接线宽度大；并且雷射脉波时域功率特性曲线具有上升以及下降的边端、一个平均功率以及一个脉波区间，并且该雷射脉波时域功率具有下列特性：一功率尖峰，具有实质上比脉波区间短的尖峰区间；一个比雷射输出脉波平均功率大的峰值功率；以及一个从上升讯缘到下降讯缘的发生时间；并且该峰值功率、尖峰区间、以及功率尖峰的发生时间共同建立一个用于雷射输出脉波的经特别修整之雷射脉波功率特性曲线，该特性曲线影响选定接线结构的切断而不引起对基板或是放置于相邻侧面以及底部表面之保护层结构材料明显的损伤。 |
