| 主权项 |
一种气相成长装置，其特征为：具备：真空室；具有，配置于前述真空室内，与基板里面接触并载置前述基板之第1支承部、和与前述第1支承部连接以支承前述第1支承部，使用热传导率较用于前述第1支承部的材料更小之材料之第2支承部；当在基板上进行成膜时，让前述第1与第2支承部旋转的支承台；在前述基板里面侧，配置于由前述基板算起的距离较由前述支承台更分离之位置，将前述基板的外周部与前述第1与第2支承部加热之第1热源；配置在前述第1热源的下部，不通过前述第1热源与前述第1和第2支承部而将前述基板的外周部以外加热的第2热源；用来对前述真空室内供给成膜之气体的第1流路；以及将前述气体由前述真空室排出之第2流路之气相成长装置，其特征为：前述支承台，与前述第1与第2热源独立而旋转，前述气相成长装置是叶片式装置。 |
