| 发明名称 |
具有电磁波雕刻刻痕之半导体基板、具包含该半导体基板之半导体发光元件及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI354382 |
申请公布日期 |
2011.12.11 |
| 申请号 |
TW096119657 |
申请日期 |
2007.06.01 |
| 申请人 |
廣鎵光電股份有限公司 臺中市大雅區中部科學工業園區科雅路22號 |
发明人 |
蔡宗良;蔡炯棋 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种供一半导体发光元件(semiconductor light-emitting device)磊晶用之基板(substrate)，其特征在于该基板之一上表面具有复数个电磁波雕刻的刻痕(nick)，该半导体发光元件之磊晶系执行于该基板之该上表面上，其中每一个电磁波雕刻的刻痕具有融熔的侧壁(fusion sidewall)，每一个电磁波雕刻的刻痕之上视图呈现一圆形、一不规则四边形(trapezoid)或一长条痕迹(trace)，且每一个电磁波雕刻的刻痕之融熔的侧壁进一步系藉由一乾蚀刻制程或一湿蚀刻制程移除而形成粗糙的侧壁。 |
| 地址 |
台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |
