发明名称 图案化光阻层的形成方法
摘要
申请公布号 TWI354318 申请公布日期 2011.12.11
申请号 TW096143771 申请日期 2007.11.19
申请人 聯華電子股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 发明人 许德绍
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 郭晓文 台北市中正区思源街18号A栋2楼
主权项 一种图案化光阻的形成方法,其适用于一基底,包括:于该基底上方进行一植入制程;进行一电浆表面处理制程;在该电浆表面处理制程之后进行一表面处理制程;在该表面处理制程之后于该基底上方形成一光阻层;以及图案化该光阻层。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号