| 摘要 |
Полупроводниковая наногетероструктура InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером, включающая в себя монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, сверхрешетку AlGaAs/GaAs, буферный слой GaAs, метаморфный буфер InxAl1-xAs, инверсный слой InxAl1-xAs, залечивающий слой с однородным составом Inx4'Al1-x4'As и активную область InAlAs/InGaAs с высоким содержанием InAs (более 70%), согласованную по параметру решетки с залечивающим слоем, отличающаяся тем, что содержание InAs x по толщине в инверсном слое InxAl1-xAs плавно уменьшается от x4 до x4', где x4-x4'=0,03÷0,08, содержание InAs x по толщине в метаморфном буфере увеличивается линейно от x1 до x4, где x1~0, x4≥0,75, внутрь метаморфного буфера на равных расстояниях друг от друга и от границ буфера вводятся два инверсных слоя InxAl1-xAs с плавным уменьшением содержания InAs x по толщине на Δx=0,03÷0,06, за каждым из которых следует залечивающий слой с составом, совпадающим с финальным составом инверсного слоя, толщина метаморфного буфера 1,0÷1,5 мкм. |
