发明名称 РЕАКТОР ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН В ГАЗОВОЙ СРЕДЕ ИЛИ ВАКУУМЕ
摘要 Реактор для термической обработки полупроводниковых пластин в газовой среде или вакууме, содержащий вакуумную камеру, источник инфракрасного излучения и средство поддержки полупроводниковой пластины в вакуумной камере, отличающийся тем, что корпус вакуумной камеры выполнен с двойными стенками из металла, пространство между стенками корпуса вакуумной камеры сообщено с источником подачи охлаждающей среды и магистралью ее отвода, в верхней части корпуса вакуумной камеры выполнено окно, которое закрыто пластиной из кварцевого стекла, герметично уплотненной относительно корпуса вакуумной камеры, источник инфракрасного излучения размещен над кварцевой пластиной, при этом в корпусе вакуумной камеры с нижней стороны полупроводниковой пластины установлен отражатель инфракрасного излучения, снабженный системой охлаждения.
申请公布号 RU111349(U1) 申请公布日期 2011.12.10
申请号 RU20110115283U 申请日期 2011.04.18
申请人 发明人
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
地址