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Eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung (10), umfassend: mehrere Verbindungshalbleiterschichten (110, 120, 130), umfassend eine erste leitende Hund eine zweite leitende Halbleiterschicht (130), wobei die mehrere Verbindungshalbleiterschichten (110, 120, 130) einen Innenbereich und eine peripheren Bereich um den Innenbereich aufweisen; eine Elektrodenschicht (150) auf den mehreren Verbindungshalbleiterschichten, wobei die Elektrodenschicht (150) in Kontakt mit dem Innenbereich der Verbindungshalbleiterschichten (110, 120, 130) ist; und eine Kanalschicht (140) mit einem Vorsprung (145) und die entlang dem peripheren Bereich zwischen den mehreren Verbindungshalbleiterschichten (110, 120, 130) und der Elektrodenschicht (150) ausgebildet ist. |
