| 摘要 |
<p>본 발명은 300℃ 이하의 저온에서 상변화 메모리 재료인 In-Sb-Te의 박막을 제조할 수 있는 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 In, Sb 및 Te의 소스 증기를 진공 챔버 내의 기판 상에서 반응시키는 유기금속 화학증착법에 의하며, 상기 반응 시의 챔버 내의 압력이 상기 반응 시 기판의 온도가 150~230℃이고 챔버 내의 압력이 1~15 Torr이거나, 기판의 온도가 230~300℃이고 챔버 내의 압력이 1~7 Torr인 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증착법에 의한 상변화 메모리 소자용 In-Sb-Te 박막의 형성방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 종래 기술에 의한 상변화 소재인 GST의 대체물질인 IST 박막을 300℃ 이하의 저온에서 용이하게 형성할 수 있으며, 트렌치 구조를 높은 step-coverage로 채울 수 있어 상변화 메모리 소자의 제조에 효율적으로 활용할 수 있다.</p> |
