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<p>반도체 장치는 복수의 다른 문턱값을 가진 복수-레벨 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이와, 복수 워드의 입력 정보 중의 정보를 래치하는 제1 래치 회로와, 상기 복수 워드의 입력 정보 중의 정보를 상기 복수-레벨 메모리 셀의 각 레벨에 따른 정보로 변환한 써넣기 정보를 래치하는 제2 래치 회로와, 상기 써넣기 정보에 따라서, 동시에 써넣을 수 있는 메모리 셀 수에 대응하는 그룹 단위로 상기 복수-레벨 메모리에 정보를 써넣는 써넣기 회로와, 상기 메모리 셀 어레이에의 써넣기를 제어하는 제어 회로를 포함한다. 복수 워드의 입력 정보를 분할한 그룹마다 동시에 정보를 써넣기 때문에, 단위 워드 당 써넣기 시간을 실질적으로 짧게 할 수 있다. 이것에 의하여, 복수-레벨 메모리 셀의 써넣기에서, 프로그램과 검증을 여러 번 반복하여야 하는 경우에도, 써넣기 시간이 증가되지 않는다.</p> |
