发明名称 Highly dense PZT-PMnN piezoelectic thick film and preparation method thereof
摘要 <p>본 발명은 고밀도 PZT-PMnN 압전 후막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판의 표면 일측에 페로브스카이트상을 갖는 Pb(Zr,Ti)O와 Pb(MnNb)O의 고용체로 이루어진 압전소재를 상온 진공 분말 분사법(Room Temperature Powder Spray in Vacuum)으로 진공 증착한 압전 후막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 상온 진공 분말 분사법을 사용하여 페로브스카이트 상을 갖고, 고밀도로 치밀하게 성막되고, 균열 또는 기공형성이 나타나지 않고, 5 ㎛ 이상의 두께로 기판과의 박리 없이 건전하게 기판에 부착되고, 종래 사용되는 벌크형의 압전 센서와 동등한 압전 특성을 나타내는 PZT-PMnN 압전 후막을 제조할 수 있어, 경박단소화의 추세에 있는 전자제품 내의 박막/후막형 압전 센서에 응용될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101091149(B1) 申请公布日期 2011.12.09
申请号 KR20090075132 申请日期 2009.08.14
申请人 发明人
分类号 C23C24/00 主分类号 C23C24/00
代理机构 代理人
主权项
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