| 摘要 |
Ein Halbleiterchip (10, 20, 30, 40, 50) weist ein Substrat (16) mit einer Oberfläche, eine aktive Transistorregion (17) und eine Substratkontaktregion (18), die auf dem Substrat (16) gebildet ist, und einen Flachgrabenisolations-(STI-)Bereich (11, 21, 31, 41, 51, 61), der in der Oberfläche gebildet und mindestens teilweise zwischen der aktiven Transistorregion (17) und der Substratkontaktregion (18) angeordnet ist, und mindestens einen Kondensator (12, 22, 32, 42, 52), der mindestens teilweise in dem STI-Bereich (11, 21, 31, 41, 51, 61) vergraben ist. |
