| 摘要 |
In Rückwärtsrichtung sperrendes Halbleiterbauteil umfassend: – eine Driftschicht (34) eines ersten Leitfähigkeitstyps; – eine MOS-Steuerelektrodenstruktur mit – einer Basisschicht (24) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in der Vorderseite der Driftschicht (34) ausgebildet ist, – einer Emitterregion (32) des ersten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in einem Oberflächenbereich der Basisschicht (24) ausgebildet ist, – einem Steuerelektroden-Isolierfilm, der einen Oberflächenbereich der Basisschicht (24) zwischen der Emitterregion (32) und der Driftschicht (34) überdeckt, und – einer Steuerelektrode (7), die auf dem Steuerelektroden-Isolierfilm gebildet ist; – eine Emitterelektrode (28) in Kontakt mit sowohl der Emitterregion (32) als auch der Basisschicht (24); – eine Trennisolierregion (31) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die die MOS-Steuerelektrodenstruktur über die Driftschicht (34) umgibt und sich über die gesamte Dicke der Driftschicht erstreckt; – eine Kollektorschicht (29) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die an der Rückseite der Driftschicht (34) ausgebildet ist und Verbindung zur Rückseite der Trennisolierregion...
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