| 摘要 |
Ein Licht empfangendes Halbleiterelement (18) enthält ein Halbleitersubstrat (32) eines ersten Leitungstyps mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, die einander gegenüberliegen, eine erste Halbleiterschicht (34) des ersten Leitungstyps auf der ersten Hauptfläche des Halbleitersubstrats (32), die eine Bandlücke aufweist, die kleiner als eine Bandlücke des Halbleitersubstrats (32) ist, eine zweite Halbleiterschicht (36) des ersten Leitungstyps auf der ersten Halbleiterschicht (34), einen Halbleiterbereich (40) eines zweiten Leitungstyps an einem Abschnitt der zweiten Halbleiterschicht (36), eine erste Elektrode (42), die mit der zweiten Halbleiterschicht (36) verbunden ist, eine zweite Elektrode (44), die mit dem Halbleiterbereich (40) verbunden ist, und eine Schicht (46) niedriger Reflexion auf der zweiten Hauptfläche des Halbleitersubstrats (32). Die zweite Hauptfläche des Halbleitersubstrats (32) ist die Licht empfangende Fläche eines einfallenden Lichts. Keine Substanz und keine Struktur mit einem höheren Reflexionsfaktor gegenüber dem einfallenden Licht als ein Reflexionsfaktor der Schicht (46) niedriger Reflexion ist auf der der zweiten Hauptfläche des Halbleitersubstrats (32) angeordnet. |
