Verfahren zur Herstellung einer Wolframverbindungsstruktur mit verbesserter Seitenwandbedeckung der Barrierenschicht

摘要

Verfahren mit Bilden mehrerer Kontaktöffnungen mit unterschiedlicher Tiefe in einem Zwischenschichtdielektrikumsmaterial, um eine Verbindung zu einem Kontaktgebiet eines Schaltungselements herzustellen; Abscheiden einer titanbasierten Barrierenschicht in den Kontaktöffnungen; Umverteilen von Material der titanbasierten Barrierenschicht von einer Unterseite der Kontaktöffnungen zu einem unteren Seitenwandbereich durch gerichtetes Sputtern auf der Grundlage einer inerten Spezies, um an der Unterseite der Kontaktöffnungen eine Barrierenschicht mit reduzierter Dicke zu erhalten, wobei Abscheiden der titanbasierten Barrierenschicht umfasst: Bilden einer Titanschicht gefolgt von einer Titannitridschicht durch Sputter-Abscheidung und wobei Umverteilen von Material der titanbasierten Barrierenschicht Rücksputtern eines Teils der Titannitridschicht und der Titanschicht umfasst, wobei die Titannitridschicht nach dem Umverteilen von Material der titanbasierten Barrierenschicht abgeschieden wird, wobei das Verfahren ferner Sputter-Abscheiden eines abschließenden Teils von Titannitrid für eine spezifizierte Zeitdauer, die kleiner ist als eine vorhergehende Abscheidezeit, umfasst; und Abscheiden eines wolframbasierten Materials zum Auffüllen der Kontaktöffnungen unter Anwendung von...