发明名称 一种电子束浅熔池熔炼用水冷装置
摘要 本实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束浅熔池熔炼用水冷装置,支撑底座内安装有水冷支撑杆,石墨块安装于水冷支撑杆的上方,支撑底座上一侧固定两根水冷连通轴,水冷铜套环采用相对成圆形的两瓣式结构,每瓣套环的一侧有套孔,套孔与水冷连通轴套装,每瓣套环可围绕水冷连通轴转动,套环的另一侧设有开闭装置,每瓣套环中开有冷却水通道,套环开闭装置一侧的支撑底座上安装有结晶器。本实用新型装置结构紧凑,构思独特,在硅锭的外壁套上多层铜套环,在铜套环中形成浅层熔池,熔炼后去除磷杂质,此装置使得熔化提纯时间减少,整体提纯时间减少,能耗降低,效率提高,去除效果良好,适合大规模工业化生产。
申请公布号 CN202063729U 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN201120155479.8 申请日期 2011.05.16
申请人 大连隆田科技有限公司 发明人 战丽姝;谭毅;顾正
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 大连星海专利事务所 21208 代理人 于忠晶
主权项 一种电子束浅熔池熔炼用水冷装置,支撑底座内安装有水冷支撑杆,石墨块安装于水冷支撑杆的上方,其特征是:支撑底座上一侧固定两根水冷连通轴,水冷铜套环采用相对成圆形的两瓣式结构,每瓣套环的一侧有套孔,套孔与水冷连通轴套装,每瓣套环可围绕水冷连通轴转动,套环的另一侧设有开闭装置,每瓣套环中开有冷却水通道,套环开闭装置一侧的支撑底座上安装有结晶器。
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