| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。 | ||
| 申请公布号 | CN102272895A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201080004120.9 | 申请日期 | 2010.01.07 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 杨晶;王琦 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，由具有侧壁的腔室、电极法兰、和被所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成，并具有反应室；支撑部，收容于所述反应室内，载置有具有处理面的基板，并控制所述基板的温度；搬出搬入部，设置于所述腔室的所述侧壁，用于把所述基板搬出或者搬入所述反应室；RF电源，与所述电极法兰连接，并施加高频电压；第一阀门，设置于所述搬出搬入部，并开闭所述搬出搬入部；以及第二阀门，与所述腔室电连接，并具有与所述腔室的内侧面位于同一平面上的面部。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||